TSV/ Bumps

Um elektrisch leitende Verbindungen durch ein Silizium – Substrat herzustellen, werden VIAs gesetzt. Das sind Durchkontaktierungen, die bei den heute üblichen Packungsdichten in der Halbleiterfertigung Durchmesser bis runter auf wenige µm besitzen und Aspektverhältnisse (Tiefe / Durchmesser) bis 20 / 1 erreichen können. Die Verbindungserstellung zwischen den Siliziumschichten zu komplexen Schaltkreisen erfolgt über kleine Lötkugeln, den so genannten Bumps. Auch diese werden bei immer komplexer werdenden Bauteilen immer kleiner, Bumps mit einer Größe von unter 30 µm sind keine Seltenheit.